Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
29
30
31
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
1
2
3

Научные конференции 2024

Международный научно-исследовательский журнал, публикации РИНЦ, GeoRef, DOI
РЕКЛАМА


расширенный поиск
]]>

 

Публикация статей
за 3 дня

*eLIBRARY


Наши преимущества: 

• Быстрое размещение в Elibrary 
• Простые требования оформления 
• Присвоение ISBN 
• 
Справка о публикации, Сертификат, Диплом
• Оплата без комиссии

РЕКЛАМА

 

 

РЕКЛАМА
]]>

 

РЕКЛАМА

 

РЕКЛАМА

 


РЕКЛАМА
Добавить «Золотую ленточку»

1 июля 2008 г. — 4 июля 2008 г., срок заявок: 1 июля 2008 г.

V-я Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2008»

Выслать ссылку по e-mail

Россия, Черноголовка

Язык информации: Русский

Конференция, которая ведет свою историю с общероссийского совещания по кремнию, впервые проведенного в МИСиС в 1999 году, проводится на регулярной основе через один-два года. С 2000 года серия включает также и Школы для молодых ученых и специалистов. За эти годы мероприятие превратилось в основной в России и странах СНГ форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ, могут обсудить актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе. С этого года Конференция имеет международный статус.

Основные темы форума включают:

- Физика квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;
- Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge, SiGe);
- Производство дешевого кремния для солнечной энергетики и структур на его основе;
- Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low- and high-k диэлектрики;
- Нанотехнологии твердотельной электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;
- Диагностика кремния и приборных структур на его основе;
- Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.

Контрольные сроки:

3 марта 2008 г. Представление тезисов докладов в электронном виде;
2 апреля 2008 г. Извещение о включении доклада в Программу.

Подробно о конференции: http://purple.ipmt-hpm.ac.ru/silicon2008/conf.htm

При обращении к организаторам мероприятия обязательно ссылайтесь на сайт «Конференции.ru» как на источник информации.

Последний день подачи заявки: 1 июля 2008 г. (приём заявок закончен)

Организаторы: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов", Научный Совет РАН "Физико-химические основы материаловедения полупроводников", ООО "Научно-консалтинговый центр Форум-СМ"

Контактная информация: Тел.: +7 (495) 962-8038, +7 (49652) 44092, e-mail: silicon2008@iptm.ru

Эл. почта: NULL

Поделитесь информацией о мероприятии со знакомыми:

Для отправления сообщения оргкомитету Вы должны быть зарегистрированы и авторизованы на сайте

РЕКЛАМА

Сообщение об ошибке отправлено администратору!
Спасибо за пользование нашим сервисом!

закроется через 2 секунды